芯片在各種電子設(shè)備中，和人體器官發(fā)揮的作用類似。為了達到這樣級別的芯片運行的可靠性水平，測試和測量在整個芯片設(shè)計和封裝測試過程中起著至關(guān)重要的作用。半導體制造工廠在對芯片每個工藝參數(shù)進行精確控制的同時，也會在生產(chǎn)的每個階段進行測試，盡早排除有缺陷的零件。接下來文中將簡單介紹IC芯片可靠性測試，一起來看看吧！
芯片可靠性測試主要分為環(huán)境試驗和壽命試驗兩個大項，其中環(huán)境試驗中包含了機械試驗（振動試驗、沖擊試驗、離心加速試驗、引出線抗拉強度試驗和引出線彎曲試驗）、引出線易焊性試驗、溫度試驗（低溫、高溫和溫度交變試驗）、濕熱試驗（恒定濕度和交變濕熱）、特殊試驗（鹽霧試驗、霉菌試驗、低氣壓試驗、靜電耐受力試驗、超高真空試驗和核輻射試驗）；而壽命試驗包含了長期壽命試驗（長期儲存壽命和長期工作壽命）和加速壽命試驗（恒定應(yīng)力加速壽命、步進應(yīng)力加速壽命和序進應(yīng)力加速壽命），其中可以有選擇的做其中一些。
_20221028161232_645.jpg "芯片測試都有哪些內(nèi)容?IC芯片可靠性測試標準")
可靠性試驗
1.溫度下限工作試驗:受試樣品先加電運行測試程序進行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下，將箱內(nèi)溫度逐漸降到0℃,待溫度穩(wěn)定后，加電運行測試程序5h，受試樣品功能與操作應(yīng)正常，試驗完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。
推薦檢驗標準：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無明顯偏差。
2.低溫儲存試驗將樣品放入低溫箱，使箱溫度降到-20℃，在受試樣品不工作的條件下存放16h，取出樣品回到室溫，再恢復(fù)2h，加電運行測試程序進行后檢驗，受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無明顯偏差。為防止試驗中受試樣品結(jié)霜和凝露，允許將受試樣品用聚乙稀薄膜密封后進行試驗，必要時還可以在密封套內(nèi)裝吸潮劑。
推薦檢驗標準：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無明顯偏差。
3.溫度上限工作試驗受試樣品先進行初試檢測。在受試樣品不工作的條件下，將箱溫度逐漸升到40℃，待溫度穩(wěn)定后，加電運行系統(tǒng)診斷程序5h，受試樣品功能與操作應(yīng)正常，試驗完后，待箱溫度回到室溫，取出樣品，在正常大氣壓下恢復(fù)2h。
推薦檢驗標準：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無明顯偏差。
4.高溫儲存試驗將樣品放入高溫箱，使箱溫度升到55℃，在受試樣品不工作的條件下存放16h，取出樣品回到室溫，恢復(fù)2h。
推薦檢驗標準：受試樣品功能與操作應(yīng)正常，外觀無明顯偏差。
以上是創(chuàng)芯檢測小編整理的IC芯片可靠性測試相關(guān)內(nèi)容，希望對您有所幫助。我公司擁有專業(yè)工程師及行業(yè)精英團隊，建有標準化實驗室3個，實驗室面積1800平米以上，可承接電子元器件測試驗證、IC真假鑒別，產(chǎn)品設(shè)計選料、失效分析，功能檢測、工廠來料檢驗以及編帶等多種測試項目。
