Mos管被靜電擊穿的原因分析及解決方案

日期:2022-01-10 13:35:00 瀏覽量:1957 標(biāo)簽: Mos管

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?

MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞),又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式:一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣,有很高的輸入電阻,只是MOS管的輸入電阻更高。

靜電放電形成的是短時(shí)大電流,放電脈沖的時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)小于器件散熱的時(shí)間常數(shù)。因此,當(dāng)靜電放電電流通過面積很小的pn結(jié)或肖特基結(jié)時(shí),將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度,形成局部過熱,有可能使局部結(jié)溫達(dá)到甚至超過材料的本征溫度(如硅的熔點(diǎn)1415℃),使結(jié)區(qū)局部或多處熔化導(dǎo)致pn結(jié)短路,器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否,主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度,功率密度越小,說明器件越不易受到損傷。

反偏pn結(jié)比正偏pn結(jié)更容易發(fā)生熱致失效,在反偏條件下使結(jié)損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因?yàn)榉雌珪r(shí),大部分功率消耗在結(jié)區(qū)中心,而正偏時(shí),則多消耗在結(jié)區(qū)外的體電阻上。對(duì)于雙極器件,通常發(fā)射結(jié)的面積比其它結(jié)的面積都小,而且結(jié)面也比其它結(jié)更靠近表面,所以常常觀察到的是發(fā)射結(jié)的退化。此外,擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(jié)(如JFET的柵結(jié)),比類似尺寸的常規(guī)pn結(jié)對(duì)靜電放電更加敏感。

MOS管.jpg

所有的東西是相對(duì)的,不是絕對(duì)的,MOS管只是相對(duì)其它的器件要敏感些,ESD有一個(gè)很大的特點(diǎn)就是隨機(jī)性,并不是沒有碰到MOS管都能夠把它擊穿。另外,就算是產(chǎn)生ESD,也不一定會(huì)把管子擊穿。靜電的基本物理特征為:(1)有吸引或排斥的力量;(2)有電場(chǎng)存在,與大地有電位差;(3)會(huì)產(chǎn)生放電電流。這三種情形即ESD一般會(huì)對(duì)電子元件造成以下三種情形的影響:(1)元件吸附灰塵,改變線路間的阻抗,影響元件的功能和壽命;(2)因電場(chǎng)或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體,使元件不能工作(完全破壞);(3)因瞬間的電場(chǎng)軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱,使元件受傷,雖然仍能工作,但是壽命受損。所以ESD對(duì)MOS管的損壞可能是一,三兩種情況,并不一定每次都是第二種情況。 上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測(cè)試中被察覺而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測(cè)試中不易被發(fā)現(xiàn),在這種情形下,常會(huì)因經(jīng)過多次加工,甚至已在使用時(shí),才被發(fā)現(xiàn)破壞,不但檢查不易,而且損失亦難以預(yù)測(cè)。靜電對(duì)電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴(yán)重火災(zāi)和爆炸事故的損失。 

電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會(huì)遭受靜電破壞?可以這么說:電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機(jī)裝聯(lián)、包裝運(yùn)輸直至產(chǎn)品應(yīng)用,都在靜電的威脅之下。在整個(gè)電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中,每一個(gè)階段中的每一個(gè)小步驟,靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞,而實(shí)際上最主要而又容易疏忽的一點(diǎn)卻是在元件的傳送與運(yùn)輸?shù)倪^程。在這個(gè)過程中,運(yùn)輸因移動(dòng)容易暴露在外界電場(chǎng)(如經(jīng)過高壓設(shè)備附近、工人移動(dòng)頻繁、車輛迅速移動(dòng)等)產(chǎn)生靜電而受到破壞,所以傳送與運(yùn)輸過程需要特別注意,以減少損失,避免無所謂的糾紛。防護(hù)的話加齊納穩(wěn)壓管保護(hù)。 

現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護(hù)。vmos柵極電容大,感應(yīng)不出高壓。與干燥的北方不同,南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。還有就是現(xiàn)在大多數(shù)CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口保護(hù)。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習(xí)慣。至少使管腳可焊性變差。

MOS管被擊穿的原因及解決方案

第一MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施,但仍需小心對(duì)待,在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時(shí),工具、儀表、工作臺(tái)等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對(duì)器件引線矯直彎曲或人工焊接時(shí),使用的設(shè)備必須良好接地。

第二MOS電路輸入端的保護(hù)二極管,其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA,在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時(shí),應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時(shí)可選擇一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。還有由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號(hào)和過高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件輸入端,一般使用時(shí),可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件,對(duì)電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電,這個(gè)微小的 電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。在試驗(yàn)中G懸空很危險(xiǎn),很多就因?yàn)檫@樣爆管,G接個(gè)下拉電阻對(duì)地,旁路干擾信號(hào)就不會(huì)直通了,一般可以10~20K。這個(gè)電阻稱為柵極電阻,作用1:為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;作用2:起到瀉放電阻的作用(保護(hù)柵極G~源極S)。第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理:保護(hù)柵極G~源極S:場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。

MOS管靜電擊穿,關(guān)于穿通擊穿,有以下一些特征 

1、穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過程中,電流有逐漸增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,發(fā)生電流較大。另一方面,耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏呈現(xiàn)電流逐漸增大的特征。 

2、穿通擊穿的軟擊穿點(diǎn)發(fā)生在源漏的耗盡層相接時(shí),此刻源端的載流子注入到耗盡層中, 被耗盡層中的電場(chǎng)加快到達(dá)漏端,因此,穿通擊穿的電流也有急劇增大點(diǎn),這個(gè)電流的急劇增大和雪崩擊穿時(shí)電流急劇增大不同,這時(shí)的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r(shí)的電流,而雪崩擊穿時(shí)的電流主要為PN結(jié)反向擊穿時(shí)的雪崩電流,如不作限流,雪崩擊穿的電流要大。 

3、穿通擊穿一般不會(huì)呈現(xiàn)破壞性擊穿。因?yàn)榇┩〒舸﹫?chǎng)強(qiáng)沒有到達(dá)雪崩擊穿的場(chǎng)強(qiáng),不會(huì)發(fā)生許多電子空穴對(duì)。 

4、穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi),溝道外表不容易發(fā)生穿通,這主要是因?yàn)闇系雷⑷胧雇獗頋舛缺葷舛却髽?gòu)成,所以,對(duì)NMOS管一般都有防穿通注入。 

5、一般的,鳥嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大,所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中心。 

6、多晶柵長(zhǎng)度對(duì)穿通擊穿是有影響的,跟著柵長(zhǎng)度添加,擊穿增大。而對(duì)雪崩擊穿,嚴(yán)格來說也有影響,可是沒有那么明顯。

以上便是此次創(chuàng)芯檢測(cè)帶來的“Mos管被靜電擊穿”相關(guān)內(nèi)容,通過本文,希望能對(duì)大家有所幫助。如果您喜歡本文,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站,我們將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。

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