X-ray檢測(cè)IGBT內(nèi)部缺陷有什么優(yōu)勢(shì)？
日期：2021-09-13 15:15:00 瀏覽量：1657 標(biāo)簽: X-射線檢測(cè) X-Ray檢測(cè)
IGBT是由雙極晶體管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的復(fù)合完全受控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體設(shè)備，具有MOSFET高輸入阻抗和GTR低導(dǎo)通壓降兩大優(yōu)點(diǎn)。
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝保護(hù)方便、散熱穩(wěn)定的特點(diǎn)。市場(chǎng)上銷(xiāo)售的模塊化產(chǎn)品大多是這樣的產(chǎn)品。一般而言，IGBT也指IGBT模塊。IGBT是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)闹行脑O(shè)備，俗稱電力電子設(shè)備。作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，已廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)和新能源設(shè)備。隨著節(jié)能環(huán)保理念的共同發(fā)展，這樣的產(chǎn)品將在市場(chǎng)上越來(lái)越受歡迎。
如果IGBT芯片連接到其散熱器的焊接猜測(cè)中有一組三個(gè)小空隙，并且這些空隙相互靠近，則可以避免熱量敏捷從設(shè)備下方區(qū)域發(fā)出。隨著時(shí)間的推移，間隙上方的區(qū)域可能過(guò)熱，芯片可能發(fā)生電氣故障，導(dǎo)致系統(tǒng)故障。
因?yàn)镮GBT通常用于高壓和高功率，所以它的故障既昂貴又危險(xiǎn)。在IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷有機(jī)會(huì)出現(xiàn)故障之前找到它們是有意義的。
IGBT在生產(chǎn)工藝上與普通半導(dǎo)體產(chǎn)品相同。產(chǎn)業(yè)鏈包括規(guī)劃、生產(chǎn)、包裝和測(cè)試。國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT領(lǐng)域技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，產(chǎn)業(yè)化起步較晚，在規(guī)劃、測(cè)試、封裝等中心技術(shù)方面積累不足。
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X-ray可以對(duì)IGBT進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)成像，射線可以穿透IGBT模塊的散熱器完成有用的檢測(cè)，通過(guò)穿透射線的衰減觀察圖像的局部差異。
X-ray檢測(cè)設(shè)備可以大量檢測(cè)IGBT模塊。IGBT是混合動(dòng)力汽車(chē)中最常見(jiàn)的，但也可用于傳統(tǒng)汽車(chē)的發(fā)動(dòng)機(jī)。IGBT會(huì)發(fā)出大量的熱量。如果任何結(jié)構(gòu)異常(如空隙或未粘合)會(huì)擾亂散熱途徑，則可能因過(guò)熱而失效。
IGBT中最常見(jiàn)的缺陷是氣隙和鍵合損失，x光成像可以成功檢測(cè)焊料中的間隙。其它常見(jiàn)缺陷包括陶瓷筏翹曲或傾斜(兩者都會(huì)改變熱流，使芯片破裂)和芯片下焊料的孔隙率。IGBT模塊可在封裝前后通過(guò)X射線成像進(jìn)行檢查。如果在封裝前對(duì)其進(jìn)行成像檢測(cè)，有問(wèn)題的部件可以再次修復(fù)。
X-ray檢測(cè)最大的優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)結(jié)果直觀。通過(guò)圖像顯示IGBT的內(nèi)部缺點(diǎn)，軟件自動(dòng)識(shí)別判斷提高了X-ray檢測(cè)的準(zhǔn)確性，降低了人工誤判率。在IGBT生產(chǎn)過(guò)程中，不僅保證了產(chǎn)品質(zhì)量，而且在R&D規(guī)劃階段提供了可靠的改進(jìn)依據(jù)。X-Ray檢測(cè)設(shè)備采用X射線透射原理檢測(cè)IGBT模塊，無(wú)需額外成本，檢測(cè)快捷準(zhǔn)確。X-ray檢測(cè)產(chǎn)品很多，X-ray檢測(cè)具有高清圖像和缺陷分析功能，受到業(yè)界的好評(píng)是一個(gè)很好的選擇。
