隨著人們對產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也顯得越來越重要,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。確定芯片失效機理為有效的故障診斷提供了必要的信息。并且為設計工程師不斷改進或者修復芯片的設計,使之與設計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。還可以評估不同測試向量的有效性,為生產(chǎn)測試提供必要的補充,為驗證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎。而電子元器件的失效分析成為其中很重要的部分。
失效分析是對電子元器件失效機理、原因的診斷過程,是提高電子元器件可靠性的必由之路。元器件由設計到生產(chǎn)到應用等各個環(huán)節(jié),都有可能失效,從而失效分析貫穿于電子元器件的整個壽命周期。因此,需要找出其失效產(chǎn)生原因,確定失效模式,并提出糾正措施,防止相同失效模式和失效機理在每個元器件上重復出現(xiàn),提高元器件的可靠性。
失效分析的基本步驟
芯片開封:
去除IC封膠,同時保持芯片功能的完整無損,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實驗做準備。
SEM 掃描電鏡/EDX成分分析:
包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。 探針測試:以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。
鐳射切割:
以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。
EMMI偵測:
EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具,提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式,可偵測和定位非常微弱的發(fā)光(可見光及近紅外光),由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。
OBIRCH應用(鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試):
OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析,線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法,可以有效地對電路中缺陷定位,如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等,也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術的有力補充。
LG液晶熱點偵測:
利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組,在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像,找尋在實際分析中困擾設計人員的漏電區(qū)域(超過10mA之故障點)。
定點/非定點芯片研磨:
移除植于液晶驅(qū)動芯片 Pad上的金凸塊, 保持Pad完好無損,以利后續(xù)分析或rebonding。
X-Ray 無損偵測:
檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。
SAM (SAT)超聲波探傷:
可對IC封裝內(nèi)部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如:o晶元面脫層,o錫球、晶元或填膠中的裂縫,o封裝材料內(nèi)部的氣孔,o各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。
失效分析常用設備及詳細用途,如下圖所示: