FMEA是在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段和過程設(shè)計(jì)階段,對(duì)構(gòu)成產(chǎn)品的子系統(tǒng)、零件,對(duì)構(gòu)成過程的各個(gè)工序逐一進(jìn)行分析,找出所有潛在的失效模式,并分析其可能的后果,從而預(yù)先采取必要的措施,以提高產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性的一種系統(tǒng)化的活動(dòng)。為增進(jìn)大家對(duì)產(chǎn)品失效分析FMEA的認(rèn)識(shí),以下是小編整理的失效分析FMEA項(xiàng)目相關(guān)內(nèi)容,希望能給您帶來參考與幫助。
失效分析產(chǎn)品范圍
PCBA、高光板、雨刮器、汽車線束、汽車面板、汽車導(dǎo)航、通信模塊、LED、光模板
分析項(xiàng)目
1、外部檢查
2、電參數(shù)測(cè)試
3、非功能測(cè)試
4、X射線照相X-RAY、X-CT 射線分析(3D)
5、PIND
6、密封性檢查
7、聲學(xué)掃描顯微鏡分析(SAM)C-SAM、TEM(透射電子顯微鏡)
8、內(nèi)部檢查
9、剖面金相分析
10、鍵合強(qiáng)度測(cè)試
11、剪切強(qiáng)度測(cè)試
12、掃描電子顯微鏡分析(SEM)、SEM&EDS
13、粗檢漏、細(xì)檢漏
14、內(nèi)部氣氛分析儀
15、切片
16、染色試驗(yàn)
17、FIB(聚焦離子束)
18、ESD測(cè)試
19、Latch-up 測(cè)試(電源端)
20、芯片剪切力、鍵合拉力、推進(jìn)球
21、EMMI(光發(fā)射顯微鏡)
22、紅外熱成像系統(tǒng)
23、TOF-SIMS(二次離子質(zhì)譜分析)
形貌分析技術(shù):體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束
成分檢測(cè)技術(shù):X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜
電分析技術(shù):I-V曲線、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機(jī)械探針、絕緣耐壓、繼電器特性
開封制樣技術(shù):化學(xué)開封、機(jī)械開封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切片
缺陷定位技術(shù):液晶熱點(diǎn)、紅外熱像、電壓襯度、光發(fā)射顯微像、OBIRCH
根據(jù)經(jīng)驗(yàn),電子元器件故障的原因主要有兩個(gè):一是不正常的電氣條件;二是不正常的工作環(huán)境。優(yōu)良的電氣條件取決于電路的正確設(shè)計(jì)。如果元件能夠在額定狀態(tài)下工作,其壽命就會(huì)較長。如果過載使用,壽命就會(huì)縮短。其次,環(huán)境條件中如高溫、高濕、空氣中的塵埃和腐蝕性化學(xué)物質(zhì)、ESD等都會(huì)影響元器件的壽命。
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